电子科学与技术（微电子学与固体电子学）学科博士研究生培养方案

（080903）

bat365官网登录

1. 指导思想

面向世界科技竞争最前沿，面向经济社会发展主战场，面向人民群众新需求，面向国家治理大战略，以立德树人、服务需求、提高质量、追求卓越为主线，围绕卓越微电子学与固体电子学专业人才培养目标，紧扣价值塑造、知识创造、思维提升、能力达成和精神养成五个要素，强化形象思维、逻辑思维、批判性思维、创造性思维，培养造就具有德才兼备的高层次专业人才，为加快提升国家集成电路领域的可持续性快速发展提供有力的智力和人才资源支撑。

二、培养目标

坚持立德树人根本任务，聚焦国家在微电子领域的专业人才需求，以理论知识与技术实践相结合、现实科技与未来发展相结合、专业技术与跨学科应用相结合的理念，培养社会主义建设事业需要的，德智体美全面发展的，适应面向现代化、面向世界、面向未来的微电子学与固体电子学以及集成电路专业领域的高级专门人才。基本目标是：

（1）掌握中国特色社会主义思想的基本理论，坚持四项基本原则，品行端正，身心健康，具有家国情怀和社会责任感，恪守学术道德，崇尚学术诚信，热爱科学研究，严谨科研作风，具备团队精神和锲而不舍的钻研精神。

（2）培养具有坚实、系统的电子科学与技术理论基础和专门知识，掌握现代电子科学与工程实验技能和技术，具备在微电子学、集成电路工程、人工智能等领域从事科学研究工作或担负专门技术工作的能力。

（3）熟练地掌握一门外语，具有专业外文文献阅读、开展相应学术研究和国际学术交流的能力。

1.人才的基本定位

具有扎实的微电子学与固体电子学专业理论基础，熟练掌握其基本理论、研究方法，了解该领域的发展现状和动态，在微电子学与固体电子学的某研究方向上有深入的专门知识和技能，熟练地掌握计算机技术和一门外国语。本专业硕士研究生应具有独立的工作能力、创新的科研意识、积极的团队合作精神及求实的工作态度，能胜任该领域的微/纳米电子材料与器件和集成电路与微系统的研究、制造、设计开发与应用工作。坚持党的四项基本原则，德、智、体全面发展、自觉地为社会主义现代化建设服务。

2.对毕业生综合素质的要求

具有广博的微电子科学、集成电路设计与制造等领域科技知识和坚实的理论基础，掌握半导体产业通用的技术和工具，具备在微电子学与固体电子学以及集成电路领域的某研究方向上有深入的专门知识，有较强的科技创新能力，具备独立承担并完成科研任务能力以及一定的项目管理能力，具有创新意识和协作精神，能熟练地掌握计算机技术和一门以上外国语，能独立地从事该领域的教学、科研和高新技术开发工作，做出创造性成果的德、智、体全面发展的高层次专门人才。

3.人才的培养特色

遵循“行业指导、校企合作、分类实施、形式多样”原则，以需求和问题为导向、以素质和能力培养为重点，通过构建集成电路产教融合共同体，强化科研育人、实践育人功能，切实提升学生深入全面的科研能力和解决复杂工程问题的能力。

三、二级学科（专业）

   1. 微电子学与固体电子学（080903）

四、毕业与学位要求

五、学习年限与培养方式

1.学习年限

（1）普通博士研究生基本学习年限为4年，最长学习年限为6年。

（2）硕博连读研究生基本学习年限为5年，最长学习年限为7年。

（3）本科直博研究生基本学习年限为5年，最长学习年限为7年。

2.培养方式

导师负责制与导师小组（主导师加副导师）指导相结合。鼓励、支持和推动跨学科、跨专业的培养方式，在需要和可能的前提下，也可采取和国内外同行学者或学术单位联合培养的方式。

六、课程体系及学分要求

1.学分要求

（1）普通博士研究生修读总学分_≥13____。各类别学分要求如下：

学位公共课（必修）5学分，学位基础课__2_学分，学位专业课（必修）_≥2__学分，学位专业课（选修）_≥2__学分，跨一级学科课程 _≥2_学分。

（2）硕博连读研究生修读总学分：_≥27____。各类别学分要求如下：

学位公共课（必修）6学分，学位公共课（选修）_≥2___学分，学位基础课__5__学分，学位专业课（必修）_8___学分，学位专业课（选修）_≥4___学分，跨一级学科课程__≥2__学分。   

（3）本科直博研究生修读总学分_≥26____；各类别学分要求如下：

学位公共课（必修）5学分，学位公共课（选修）__≥2__学分，学位基础课__5__学分，学位专业课（必修）__8__学分，学位专业课（选修）__≥4__学分，跨一级学科课程__≥2__学分。

（4）补修课程要求：跨学科入学的研究生，应当在导师指导下补修本学科硕士研究生或本科专业的有关课程，所得学分记为非学位课程学分，不计入培养方案总学分。

（5）港澳台博士生可免修学位公共必修课《中国马克思主义与当代》，代之以修读《中国概况》。

（6）国际留学博士生可免修学位公共必修课《中国马克思主义与当代》、《第一外国语》，代之以修读《中国概况》或《中国文明导论》和汉语课程等有关课程。以外语为专业教学语言的学科、专业的留学生毕业时，中文能力应当至少达到《国际汉语能力标准》三级水平。

2.课程体系

七、培养环节考核

博士研究生培养环节包括年度报告、资格考试、开题报告、科研训练及学术活动、中期考核及论文预答辩，各环节考核时间安排详见下表（硕博连读一般为二年级申请，如果三年级申请硕转博学生，相应考核环节将顺延一年）。

注：①以上是各培养环节考核大致时间安排，各院系（学部）可根据本单位情况进行调整。

②硕博连读学生学制为5年的院系（学部），资格考试、开题报告与中期考核时间请做调整。

1.年度报告

（1）考核要求

年度考核由院系统一组织实施，博士生向由导师和导师组组成的考核小组汇报本学年的学习及科研进展，并提交书面总结报告。每学年结束前完成。

（2）考核结果及分流说明

导师组审核年度总结报告，给出合格、不合格的评判。未通过者须与导师针对考核环节中的不足，提出补充或整改方案，三个月后可申请参加第二次考核。年度考核不合格者，取消当年度所有研究生相关奖学金的评选资格。

2.资格考试

（1）准入条件

博士研究生在课程学习结束，修满本专业规定的学分后，方可申请参加资格考试。

（2）考核要求

资格考试由院系统一组织。学科设立资格考试小组，资格考试小组由学位评定分委会指定至少5名博士生导师或具有正高级专业技术职务的专家组成，设组长1名，另设秘书1名。采取综合考试与面试相结合的方式考核。

（3）考核结果及分流说明

资格考试的结果分为通过、不通过。通过资格考试的博士生，方可进行论文开题。第一次未通过者，一年后参加第二次资格考试。第二次仍未通过者（含主动放弃者），普博生按肄业处理；直博生、硕博连读生可申请转为同专业硕士生培养，且须至少学习1年，通过硕士论文答辩，达到学位授予条件者，可获得硕士学位，颁发硕士毕业证书。

3.开题报告

（1）准入条件

普博生、硕博连读生一般在第二学年结束前完成博士学位论文开题，直博生一般在第三学年结束前完成论文开题，具体时间由导师（导师组）和院系协商决定。自开题报告通过至申请论文预答辩应不少于1年。

（2）考核要求

开题报告是博士生确定学位论文选题、开展研究计划的重要环节。开题内容应包括文献综述、选题背景及其意义、研究内容、研究方案、研究特色及创新点、可行性分析、预期成果等。开题报告由院系统一组织，开题报告考核小组成员不少于3名，副高职称的专家需有博士学位。属于不同学科交叉培养的博士生，开题报告应当聘请所涉及的相关学科专家参加。

（3）考核结果及分流说明

开题报告的结果分为通过、不通过。开题结束后，博士生将开题报告表提交院系备案。未通过者，可申请在3个月后进行第二次开题，第二次仍未通过者，按肄业处理。研究过程中，如论文课题出现重大变动的，应重新组织开题。

4.科研训练与学术活动

（1）考核要求

学术活动审核，包括各类学术讲座、论坛、竞赛、毕业答辩、电子展等活动。参加活动的数量不得低于30次，其中参加学术讲座不得低于10次。

（2）考核结果及分流说明

由研究生导师根据研究生提交的有关报告、材料并结合实际表现给出合格、不合格的评判。

5.中期考核

（1）准入条件

普博生、硕博连读生一般在第三学年第二学期结束前完成中期考核，直博生一般在第四学年第二学期结束前完成中期考核，具体时间由导师、导师组和院系决定（具体以研究生院的通知时间为准）。

（2）考核要求

中期考核主要包括课程修读、年度报告、资格考试、开题报告、学术活动等环节的完成情况。中期考核由院系统一组织，考核小组成员不少于3名，需具有副高或以上职称。

（3）考核结果及分流说明

以上各环节考核通过者，中期考核通过，否则为不通过。中期考核通过者，方可申请论文预答辩。

6.论文预答辩

（1）准入条件

论文外审前必须进行论文预答辩。经指导教师同意，可进行论文的预答辩工作。

（2）考核要求

预答辩小组至少由3名或5名具有高级职称的同行专家（副高职称的专家需有博士学位）组成，其中，设组长1名，博士生导师为预答辩小组成员；另聘请预答辩秘书1名，具体负责预答辩工作。属于不同学科交叉培养的博士生，应当聘请所涉及的相关学科专家参加。

（3）考核结果及分流说明

论文预答辩结论为三类：合格、基本合格和不合格。预答辩合格者，以及基本合格者，经导师同意后，可进入评阅盲审等后续环节。预答辩不合格者，必须根据预答辩小组意见，全面修改论文，经导师审阅同意后，重新进行预答辩。两次预答辩的间隔时间不少于 3 个月。 除上述情况外，具备以下条件之一者，需再次进行预答辩：1）盲审出现异议且复议未通过者；2）答辩未通过者；3）学位分委会审议未通过者；4）校学位评定委员会审议未通过者。

八、创新成果考核

鼓励博士生在读期间在高水平学术期刊上发表高质量的学术论文，科研成果应与其所在专业、研究方向、博士学位论文具有相关性。博士研究生在读期间，以本人为第一作者、bat365官网登录为第一作者单位和通讯作者的第一署名单位，发表的科研成果须满足下列条件之一，方可申请答辩。

1．在SCIE收录期刊发表学术论文2篇（含录用）。另须发表1篇EI检索论文或者国内核心期刊论文1篇（含录用）, 或者申请国家发明专利1项（学生为第一作者，或者导师为第一作者、学生为第二作者，bat365官网登录为第一申请单位）。

2．在影响因子IF≥3（过去三年平均）的SCIE收录期刊发表学术论文1篇（含录用）。另须发表1篇EI检索论文或者国内核心期刊论文1篇（含录用）, 或者申请国家发明专利1项（学生为第一作者，或者导师为第一、学生为第二作者，bat365官网登录为第一申请单位）。

3．在影响因子IF≥5（过去三年平均）的SCIE收录期刊发表学术论文1篇（含录用）。

备注：在答辩前至少有一篇论文已在线发表。

4．其他由学术委员会认可的科研成果。

九、学位论文要求

1.论文选题

博士学位论文可以是基础研究或应用基础研究，也可以结合科研攻关任务或与企业公司合作从事应用开发研究，但须有自己的见解或特色。选题必须经过认真全面的调研，查阅大量文献资料，了解研究领域的前沿技术、发展趋势及选题的社会及经济效益，在此基础上确定自己的学位论文题目。

2.论文开题

研究生必须撰写完整的学位论文开题报告，包括课题研究意义、研究方法与技术路线、技术难点与创新点、内容框架与进度安排等，并附相关参考文献。开题报告须通过导师指导小组的审核。

3.论文撰写

学位论文用汉语撰写，格式须符合研究生院规定。研究生在论文撰写过程中应定期向导师和指导小组做阶段报告，并在导师指导下不断完善论文内容与结构，为确保学位论文的质量，博士生应有不少于 2 年的时间，进行学位论文相关的科学研究，独立完成论文撰写。 留学博士生，学位论文可用汉语或英语撰写和答辩，但必须有详细的中文摘要。

博士生学位论文的评阅、盲审、答辩，以及学位申请、学位评议与授予，按照《bat365官网登录学位授予工作细则》的相关规定执行。

十、必修课程教材

课程名称	选用教材（含教材、教学参考书）
现代半导体器件物理	《现代半导体器件物理》，施敏编著，科学出版社，2002年。 《现代集成电路半导体器件》，胡正明编著，电子工业出版社，2012
VLSI工艺技术	教材：《集成电路制造工艺与工程应用》，温德通著，机械工业出版社，2019年10月出版； 《半导体器件原理》，黄均鼐等著，复旦大学出版社，2020年7月再版； 《硅超大规模集成电路工艺技术理论、实践与模型》（英文版），James D. Plummer，电子工业出版社，2003年，第1次印刷，ISBN 7 053-8638-7；
模拟集成电路与系统设计	教材： 《模拟 CMOS 集成电路设计》（第二版），Behzad Razavi著，陈贵灿等译，西安交通大学出版社，2018年。 参考书： 《CMOS模拟集成电路设计》（第二版），Philip E.Allan著，冯军译，电子工业出版社，2005年。 《Analysis and Design of Analog Integrated Circuits》（第四版）, Paul R.Gray,高等教育出版社，2003年。 《模拟集成电路设计精粹》，Willy M.C.Sansen，陈莹梅译，清华大学出版社，2008年。
数字集成电路与系统设计	教材： 《数字集成电路设计-从VLSI体系结构到CMOS制造》，Hubert Kaeslin，人民邮电出版社，2011 代表性教学参考书：《CMOS超大规模集成电路设计》（第四版），Neil H. E. Weste, 电子工业出版社，2011
微电子机械系统	教材：《微系统设计与制造》，王喆垚编著, 清华大学出版社, 2008年 参考书：《Microsystem Design（中译本：微系统设计）》，Stephen D. Senturia 著，刘泽文、王晓红、黄庆安 等译，电子工业出版社， 2004年

十一、基本文献阅读书目

1.Wayne Wolf. Modern VLSI Design Systems on Silicon VLSI Circuits. Sci. Press & Pearson Education North Asia Limited，2002.

2.Jan M. Rabaey. Digital IC--A Design Perspective．Prentice-Hall，1996.

3.Phillip E. Allen. Douglas R. Holberg. CMOS Analog Circuit Design. Oxford Univ. Press, Inc，2002.

4.N.H.E. Weste, K. Eshraghian. Principles of CMOS VLSI Design. Addison-Wesley Publishing Company，1993.

5.J.Lee. Submicron Device Physics and Technology. Univ. of Texas Publ，1996.

6.Thomas H.Lee. The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits. Cambridge Univ. Press，1998.

7.Practical Low Power Digital VLSI Design. KAL，1998.

8.Advanced Semiconductor and Organic Nano-Technique. Academic Press, New York，2002.

9.Ferry, D.K. and Bird, J.P. Electronic Materials and Devices. Academic Press, San Diego，2001.

10.Duke, C.B. Tunneling in Solids. Academic Press, New York,，1969.

11.Ferry, D.K., Quantum Mechanics, 2nd ed., Inst Phys Publ, Bristol，2001.

12.R S Muller, MEMS, Micro-sensor and Micro-actuators，2001.

13.Blakemore, J.S., Semiconductor Statistics, Pergamon Press, New York，1962.

14.韩郑生 译. 芯片制造：半导体工艺制程实用教程（第六版）. 电子工业出版社，2015..

15.Wayne Wolf 著. 现代VLSI电路设计. 科学出版社，2000.

16.Muhammad H.Rashid著. 微电子电路分析与设计. 科学出版社，2000.

17.张海洋 等，等离子体蚀刻及其在大规模集成电路制造中的应用，清华大学出版社，2018年.

18.King-Ning Tu等. 电子薄膜科学. 科学出版社.，1997.

19.施敏. 现代半导体器件物理. 科学出版社，2002.

20.李名复. 半导体物理学. 科学出版社，2001